Infineon Technologies IRL3502

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-220-3

表面安装

NO

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

110A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V 7V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

140W Tc

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tube

系列

HEXFET®

已出版

1997

JESD-609代码

e3

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier

附加功能

逻辑电平兼容

端子位置

SINGLE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

JESD-30代码

R-PSFM-T3

资历状况

不合格

配置

SINGLE

操作模式

增强型MOSFET

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

7m Ω @ 64A, 7V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

700mV @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

4700pF @ 15V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

110nC @ 4.5V

漏源电压 (Vdss)

20V

Vgs（最大值）

±10V

JEDEC-95代码

TO-220AB

最大漏极电流 (Abs) (ID)

110A

漏极-源极导通最大电阻

0.007Ohm

DS 击穿电压-最小值

20V

RoHS状态

Non-RoHS Compliant