Infineon Technologies IRL60HS118

工厂交货时间

18 Weeks

安装类型

表面贴装

包装/外壳

6-VDFN Exposed Pad

表面安装

YES

晶体管元件材料

SILICON

制造商包装标识符

PG-TSDSON-6

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

18.5A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V 10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

11.5W Tc

Turn Off Delay Time

9 ns

操作温度

-55°C~175°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2013

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

6

ECCN 代码

EAR99

端子位置

DUAL

终端形式

无铅

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

JESD-30代码

S-PDSO-N6

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

通道数量

1

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

2.5W

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

8.4 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

17m Ω @ 11A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2.3V @ 10μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

660pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

8nC @ 4.5V

Vgs（最大值）

±20V

连续放电电流(ID)

18.5A

阈值电压

1.7V

栅极至源极电压(Vgs)

20V

漏源击穿电压

60V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

56A

雪崩能量等级（Eas）

22 mJ

最大结点温度（Tj）

175°C

高度

1mm

RoHS状态

ROHS3 Compliant