Infineon Technologies IRL6342PBF

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

引脚数

8

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

9.9A Ta

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

2.5V 4.5V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

2.5W Ta

Turn Off Delay Time

33 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tube

系列

HEXFET®

已出版

2003

零件状态

Discontinued

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

8

ECCN 代码

EAR99

附加功能

HIGH RELIABILITY

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

2.5W

接通延迟时间

6 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

14.6m Ω @ 9.9A, 4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

1.1V @ 10μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

1025pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

11nC @ 4.5V

上升时间

12ns

Vgs（最大值）

±12V

下降时间（典型值）

14 ns

连续放电电流(ID)

9.9A

阈值电压

1.1V

栅极至源极电压(Vgs)

12V

漏源击穿电压

30V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

79A

恢复时间

20 ns

最大结点温度（Tj）

150°C

栅源电压

1.1 V

高度

1.75mm

长度

5mm

宽度

4mm

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant