Infineon Technologies IRLB3813PBF

工厂交货时间

12 Weeks

触点镀层

Tin

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-220-3

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

260A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V 10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

230W Tc

Turn Off Delay Time

33 ns

操作温度

-55°C~175°C TJ

包装

Tube

系列

HEXFET®

已出版

2009

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

终端

通孔

ECCN 代码

EAR99

电阻

1.95MOhm

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

230W

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

36 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

1.95m Ω @ 60A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2.35V @ 150μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

8420pF @ 15V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

86nC @ 4.5V

上升时间

170ns

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

60 ns

连续放电电流(ID)

260A

阈值电压

1.9V

JEDEC-95代码

TO-220AB

栅极至源极电压(Vgs)

20V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

120A

漏源击穿电压

30V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

1050A

双电源电压

30V

雪崩能量等级（Eas）

520 mJ

恢复时间

36 ns

栅源电压

1.9 V

高度

9.02mm

长度

10.668mm

宽度

4.826mm

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅