Infineon Technologies IRLI520NPBF

工厂交货时间

14 Weeks

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-220-3 Full Pack

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

8.1A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4V 10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

30W Tc

Turn Off Delay Time

23 ns

操作温度

-55°C~175°C TJ

包装

Tube

系列

HEXFET®

已出版

2004

JESD-609代码

e3

零件状态

不用于新设计

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

电阻

180MOhm

端子表面处理

Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier

附加功能

雪崩 额定

电压 - 额定直流

100V

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

额定电流

8.1A

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

资历状况

不合格

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

27W

箱体转运

ISOLATED

接通延迟时间

40 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

180m Ω @ 6A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

440pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

20nC @ 5V

上升时间

35ns

Vgs（最大值）

±16V

下降时间（典型值）

22 ns

连续放电电流(ID)

8.1A

阈值电压

2V

JEDEC-95代码

TO-220AB

栅极至源极电压(Vgs)

16V

漏源击穿电压

100V

双电源电压

100V

雪崩能量等级（Eas）

85 mJ

隔离电压

2kV

栅源电压

2 V

高度

9.8mm

长度

10.6172mm

宽度

4.826mm

达到SVHC

无SVHC

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅