Infineon Technologies IRLL2705TR

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-261-4, TO-261AA

表面安装

YES

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

3.8A Ta

Number of Elements

1

包装

Cut Tape (CT)

系列

HEXFET®

已出版

1999

JESD-609代码

e3

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

4

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Matte Tin (Sn)

附加功能

逻辑电平兼容

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

时间@峰值回流温度-最大值(s)

30

JESD-30代码

R-PDSO-G4

资历状况

不合格

配置

SINGLE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

40m Ω @ 3.8A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

870pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

48nC @ 10V

漏源电压 (Vdss)

55V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

5.2A

漏极-源极导通最大电阻

0.051Ohm

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

30A

DS 击穿电压-最小值

55V

雪崩能量等级（Eas）

110 mJ

RoHS状态

Non-RoHS Compliant