Infineon Technologies IRLMS2002GTRPBF

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

SOT-23-6

引脚数

6

供应商器件包装

Micro6™(SOT23-6)

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

6.5A Ta

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

2.5V 4.5V

Power Dissipation (Max)

2W Ta

Turn Off Delay Time

36 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

HEXFET®

已出版

2005

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

最高工作温度

150°C

最小工作温度

-55°C

元素配置

Single

功率耗散

2W

接通延迟时间

8.5 ns

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

30mOhm @ 6.5A, 4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

1.2V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

1310pF @ 15V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

22nC @ 5V

上升时间

11ns

漏源电压 (Vdss)

20V

Vgs（最大值）

±12V

下降时间（典型值）

16 ns

连续放电电流(ID)

6.5A

栅极至源极电压(Vgs)

12V

漏源击穿电压

20V

输入电容

1.31nF

漏源电阻

30mOhm

最大rds

30 mΩ

高度

1.2954mm

长度

2.9972mm

宽度

1.75mm

辐射硬化

无

RoHS状态

符合RoHS标准