Infineon Technologies IRLR3636TRLPBF

工厂交货时间

12 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

50A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V 10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

143W Tc

操作温度

-55°C~175°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

HEXFET®

已出版

2009

JESD-609代码

e3

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

2

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

JESD-30代码

R-PSSO-G2

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

143W

箱体转运

DRAIN

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

6.8m Ω @ 50A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2.5V @ 100μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

3779pF @ 50V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

49nC @ 4.5V

上升时间

216ns

Vgs（最大值）

±16V

下降时间（典型值）

69 ns

连续放电电流(ID)

50A

JEDEC-95代码

TO-252AA

漏极-源极导通最大电阻

0.0083Ohm

漏源击穿电压

60V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

396A

雪崩能量等级（Eas）

170 mJ

RoHS状态

ROHS3 Compliant