IRLR3636TRRPBF
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Infineon Technologies IRLR3636TRRPBF

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型号

IRLR3636TRRPBF

utmel 编号

1211-IRLR3636TRRPBF

商品类别

集成电路(IC)

封装

--

交货地

大陆

交期(工作日)

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ROHS

ECAD

简介

IRLR3636TRRPBF datasheet pdf and Integrated Circuits (ICs) product details from Infineon Technologies stock available at utmel

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IRLR3636TRRPBF详情

Infineon Technologies IRLR3636TRRPBF重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 表面安装

    YES

  • 终端数量

    2

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • Manufacturer Part Number

    IRLR3636TRRPBF

  • Rohs Code

  • Part Life Cycle Code

    活跃

  • Ihs Manufacturer

    INFINEON TECHNOLOGIES AG

  • Package Description

    LEAD FREE, PLASTIC, DPAK-3/2

  • Risk Rank

    5.16

  • Drain Current-Max (ID)

    50 A

  • Number of Elements

    1

  • Package Body Material

    PLASTIC/EPOXY

  • Package Shape

    RECTANGULAR

  • Package Style

    小概要

  • Reflow Temperature-Max (s)

    30

  • JESD-609代码

    e3

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 端子表面处理

    镍外哑光锡

  • 端子位置

    SINGLE

  • 终端形式

    鸥翼

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    260

  • Reach合规守则

    compliant

  • JESD-30代码

    R-PSSO-G2

  • 配置

    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

  • 操作模式

    增强型MOSFET

  • 箱体转运

    DRAIN

  • 晶体管应用

    SWITCHING

  • 极性/通道类型

    N-CHANNEL

  • JEDEC-95代码

    TO-252AA

  • 漏极-源极导通最大电阻

    0.0083 Ω

  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)

    396 A

  • DS 击穿电压-最小值

    60 V

  • 雪崩能量等级(Eas)

    170 mJ

  • 场效应管技术

    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

0个相似型号

技术文档: Infineon Technologies IRLR3636TRRPBF.

IRLR3636TRRPBF拓展信息

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