Infineon Technologies IRLR9343TRLPBF

触点镀层

Tin

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

引脚数

3

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

20A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V 10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

79W Tc

Turn Off Delay Time

21 ns

包装

Tape & Reel (TR)

系列

HEXFET®

已出版

2004

JESD-609代码

e3

零件状态

Discontinued

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

2

ECCN 代码

EAR99

最高工作温度

175°C

最小工作温度

-40°C

端子位置

SINGLE

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

时间@峰值回流温度-最大值(s)

30

JESD-30代码

R-PSSO-G2

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

79W

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

9.5 ns

场效应管类型

P-Channel

晶体管应用

AMPLIFIER

Rds On(Max)@Id,Vgs

105m Ω @ 3.4A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

1V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

660pF @ 50V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

47nC @ 10V

上升时间

24ns

漏源电压 (Vdss)

55V

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

9.5 ns

连续放电电流(ID)

20A

JEDEC-95代码

TO-252AA

栅极至源极电压(Vgs)

20V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

60A

DS 击穿电压-最小值

55V

RoHS状态

ROHS3 Compliant