Infineon Technologies IRLS3034PBF
- 收藏
- 对比
IRLS3034PBF
1211-IRLS3034PBF
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
大陆
立即发货

MOSFET N-CH 40V 195A D2-PAK
--最小包装量--
IRLS3034PBF详情
Infineon Technologies IRLS3034PBF重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
引脚数
3
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
195A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V 10V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
375W Tc
Turn Off Delay Time
97 ns
操作温度
-55°C~175°C TJ
包装
Tube
系列
HEXFET®
已出版
2009
零件状态
Discontinued
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
ECCN 代码
EAR99
电阻
1.7MOhm
元素配置
Single
功率耗散
375W
接通延迟时间
65 ns
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
1.7m Ω @ 195A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.5V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
10315pF @ 25V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
162nC @ 4.5V
上升时间
827ns
Vgs(最大值)
±20V
下降时间(典型值)
355 ns
连续放电电流(ID)
343A
阈值电压
2.5V
栅极至源极电压(Vgs)
20V
漏源击穿电压
40V
高度
4.572mm
长度
10.668mm
宽度
9.65mm
达到SVHC
无SVHC
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
IRLS3034PBF拓展信息
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies








哦! 它是空的。