Infineon Technologies IRLS3036TRL7PP
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IRLS3036TRL7PP
1211-IRLS3036TRL7PP
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-263-7, D2Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB
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MOSFET N-CH 60V 240A D2PAK-7
--最小包装量--
IRLS3036TRL7PP详情
Infineon Technologies IRLS3036TRL7PP重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
12 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-263-7, D2Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB
引脚数
7
晶体管元件材料
SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
240A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V 10V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
380W Tc
操作温度
-55°C~175°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
HEXFET®
已出版
2010
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
6
ECCN 代码
EAR99
电阻
1.9MOhm
附加功能
逻辑电平兼容
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
JESD-30代码
R-PSSO-G6
元素配置
Single
操作模式
增强型MOSFET
功率耗散
380W
箱体转运
DRAIN
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
1.9m Ω @ 180A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.5V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
11270pF @ 50V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
160nC @ 4.5V
上升时间
540ns
Vgs(最大值)
±16V
下降时间(典型值)
170 ns
连续放电电流(ID)
240A
漏源击穿电压
60V
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
1000A
雪崩能量等级(Eas)
300 mJ
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
IRLS3036TRL7PP拓展信息
Infineon Technologies
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