Infineon Technologies IRLU3705ZPBF

工厂交货时间

16 Weeks

包装/外壳

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

安装类型

通孔

底架

通孔

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Power Dissipation (Max)

130W Tc

Number of Elements

1

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V 10V

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

42A Tc

Turn Off Delay Time

33 ns

系列

HEXFET®

包装

Tube

操作温度

-55°C~175°C TJ

已出版

2004

JESD-609代码

e3

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

电阻

8MOhm

端子表面处理

Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier

附加功能

AVALANCHE RATED, LOGIC LEVEL COMPATIBLE, ULTRA-LOW RESISTANCE

电压 - 额定直流

55V

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

额定电流

42A

时间@峰值回流温度-最大值(s)

30

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

130W

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

17 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

8m Ω @ 42A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

3V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

2900pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

66nC @ 5V

上升时间

150ns

Vgs（最大值）

±16V

下降时间（典型值）

70 ns

连续放电电流(ID)

42A

栅极至源极电压(Vgs)

16V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

89A

漏源击穿电压

55V

长度

6.7056mm

高度

6.223mm

宽度

2.3876mm

辐射硬化

无

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅