Infineon Technologies IRLU7821PBF

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

引脚数

3

供应商器件包装

I-PAK

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

65A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V 10V

Power Dissipation (Max)

75W Tc

Turn Off Delay Time

10 ns

操作温度

-55°C~175°C TJ

包装

Tube

系列

HEXFET®

已出版

2006

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终端

通孔

最高工作温度

175°C

最小工作温度

-55°C

电压 - 额定直流

30V

额定电流

65A

功率耗散

75W

接通延迟时间

11 ns

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

10mOhm @ 15A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

1V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

1030pF @ 15V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

14nC @ 4.5V

上升时间

4.2ns

漏源电压 (Vdss)

30V

Vgs（最大值）

±20V

连续放电电流(ID)

65A

阈值电压

1V

栅极至源极电压(Vgs)

20V

漏源击穿电压

30V

双电源电压

30V

输入电容

1.03nF

漏源电阻

12.5mOhm

最大rds

10 mΩ

栅源电压

1 V

达到SVHC

无SVHC

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅