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S80KS5122GABHM020
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Infineon Technologies S80KS5122GABHM020

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型号

S80KS5122GABHM020

品牌

Infineon Technologies

utmel 编号

1211-S80KS5122GABHM020

商品类别

存储器

封装

24-VBGA

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

HYPERRAM

起订量

1最小包装量--

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S80KS5122GABHM020
S80KS5122GABHM020 Infineon Technologies HYPERRAM

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S80KS5122GABHM020详情

技术参数

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Infineon Technologies S80KS5122GABHM020重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选

  • 安装类型

    表面贴装

  • 包装/外壳

    24-VBGA

  • 供应商器件包装

    24-FBGA (6x8)

  • 厂商

    Infineon Technologies

  • Package

    Tray

  • Product Status

    活跃

  • Memory Types

    Volatile

  • Base Product Number

    S80KS5122

  • Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

    676

  • Manufacturer

    Infineon

  • Brand

    Infineon Technologies

  • RoHS

    Details

  • Mounting Styles

    SMD/SMT

  • 操作温度

    -40°C ~ 125°C (TA)

  • 包装

    Tray

  • 子类别

    Memory & Data Storage

  • 电压 - 供电

    1.7V ~ 2V

  • 内存大小

    512Mbit

  • 时钟频率

    200 MHz

  • 访问时间

    35 ns

  • 内存格式

    PSRAM

  • 内存接口

    HyperBus

  • 写入周期时间 - 字符、页面

    35ns

  • 产品类别

    DRAM

  • 产品类别

    DRAM

  • 组织的记忆

    64M x 8

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技术文档: Infineon Technologies S80KS5122GABHM020.

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型号：S80KS5123GABHI020

封装：24-VBGA

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