Infineon Technologies SN7002WH6327XTSA1
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SN7002WH6327XTSA1
1211-SN7002WH6327XTSA1
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
SC-70, SOT-323
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Single N-Channel 60 V 5 Ohm 1 nC SIPMOS® Small Signal Mosfet - SOT-323
--最小包装量--
SN7002WH6327XTSA1详情
Infineon Technologies SN7002WH6327XTSA1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
10 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
SC-70, SOT-323
引脚数
3
晶体管元件材料
SILICON
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V 10V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
500mW Ta
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
230mA Ta
Turn Off Delay Time
6 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Cut Tape (CT)
系列
SIPMOS®
已出版
1996
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin (Sn)
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
通道数量
1
元素配置
Single
操作模式
增强型MOSFET
功率耗散
500mW
接通延迟时间
2.4 ns
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
5 Ω @ 230mA, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1.8V @ 26μA
无卤素
无卤素
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
45pF @ 25V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
1.5nC @ 10V
上升时间
2.8ns
Vgs(最大值)
±20V
下降时间(典型值)
8.5 ns
连续放电电流(ID)
230mA
栅极至源极电压(Vgs)
20V
最大双电源电压
60V
漏极-源极导通最大电阻
5Ohm
漏源击穿电压
60V
反馈上限-最大值 (Crss)
4.5 pF
高度
800μm
长度
2mm
宽度
1.25mm
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
SN7002WH6327XTSA1拓展信息
Infineon Technologies
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