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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥18.208228
10
¥17.177574
100
¥16.205258
500
¥15.287979
1000
¥14.422622
Infineon Technologies SPD08N50C3ATMA1
- 收藏
- 对比
SPD08N50C3ATMA1
1211-SPD08N50C3ATMA1
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
大陆
立即发货

MOSFET N-CH 500V 7.6A DPAK
--最小包装量--
¥
总价: ¥
SPD08N50C3ATMA1详情
Infineon Technologies SPD08N50C3ATMA1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
8 Weeks
触点镀层
Tin
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
引脚数
3
供应商器件包装
PG-TO252-3-1
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
7.6A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
83W Tc
Turn Off Delay Time
60 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
CoolMOS™
已出版
2005
零件状态
不用于新设计
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终端
SMD/SMT
最高工作温度
150°C
最小工作温度
-55°C
电压 - 额定直流
560V
额定电流
7.6A
元素配置
Single
功率耗散
83W
接通延迟时间
6 ns
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
600mOhm @ 4.6A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
3.9V @ 350μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
750pF @ 25V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
32nC @ 10V
上升时间
5ns
漏源电压 (Vdss)
500V
Vgs(最大值)
±20V
下降时间(典型值)
7 ns
连续放电电流(ID)
7.6A
阈值电压
3V
栅极至源极电压(Vgs)
20V
漏源击穿电压
500V
双电源电压
560V
输入电容
750pF
漏源电阻
600mOhm
最大rds
600 mΩ
栅源电压
3 V
高度
2.41mm
长度
6.73mm
宽度
6.22mm
达到SVHC
无SVHC
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
SPD08N50C3ATMA1拓展信息
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
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