Infineon Technologies SPI08N80C3XKSA1

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

8A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

104W Tc

Turn Off Delay Time

65 ns

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

3.9V @ 470μA

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tube

系列

CoolMOS™

已出版

2005

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

端子表面处理

Tin (Sn)

附加功能

AVALANCHE RATED, HIGH VOLTAGE

电压 - 额定直流

800V

端子位置

SINGLE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

额定电流

8A

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

104W

接通延迟时间

25 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

650m Ω @ 5.1A, 10V

无卤素

无卤素

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

1100pF @ 100V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

60nC @ 10V

上升时间

15ns

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

7 ns

连续放电电流(ID)

8A

栅极至源极电压(Vgs)

20V

最大双电源电压

800V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

8A

漏极-源极导通最大电阻

0.65Ohm

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

24A

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅