Infineon Technologies SPN02N60C3

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-261-4, TO-261AA

引脚数

4

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

400mA Ta

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

1.8W Ta

Turn Off Delay Time

68 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

CoolMOS™

已出版

2004

JESD-609代码

e3

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

4

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Matte Tin (Sn)

电压 - 额定直流

650V

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

额定电流

400mA

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

引脚数量

4

资历状况

不合格

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

1.8W

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

2.5 Ω @ 1.1A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

3.9V @ 80μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

200pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

13nC @ 10V

上升时间

3ns

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

3 ns

连续放电电流(ID)

400mA

栅极至源极电压(Vgs)

20V

漏源击穿电压

600V

栅源电压

3 V

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅