Infineon Technologies SPP16N50C3XKSA1
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SPP16N50C3XKSA1
1211-SPP16N50C3XKSA1
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-220-3 Full Pack
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MOSFET N-CH 560V 16A TO-220AB
--最小包装量--
SPP16N50C3XKSA1详情
Infineon Technologies SPP16N50C3XKSA1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
8 Weeks
底架
通孔
安装类型
通孔
包装/外壳
TO-220-3 Full Pack
引脚数
3
供应商器件包装
TO-220-3
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
16A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Power Dissipation (Max)
160W Tc
Turn Off Delay Time
50 ns
Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
3.9V @ 675μA
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tube
系列
CoolMOS™
已出版
2005
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
最高工作温度
150°C
最小工作温度
-55°C
电压 - 额定直流
560V
额定电流
16A
元素配置
Single
功率耗散
160W
接通延迟时间
10 ns
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
280mOhm @ 10A, 10V
无卤素
无卤素
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
1600pF @ 25V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
66nC @ 10V
上升时间
8ns
漏源电压 (Vdss)
560V
Vgs(最大值)
±20V
下降时间(典型值)
8 ns
连续放电电流(ID)
16A
栅极至源极电压(Vgs)
20V
最大双电源电压
500V
漏源击穿电压
560V
输入电容
1.6nF
漏源电阻
250mOhm
最大rds
280 mΩ
RoHS状态
符合RoHS标准
无铅
无铅
SPP16N50C3XKSA1拓展信息
Infineon Technologies
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