Infineon Technologies SPP20N60C3XKSA1
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SPP20N60C3XKSA1
1211-SPP20N60C3XKSA1
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-220-3
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MOSFET N-CH 600V 20.7A TO-220
--最小包装量--
SPP20N60C3XKSA1详情
Infineon Technologies SPP20N60C3XKSA1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
8 Weeks
触点镀层
Tin
安装类型
通孔
包装/外壳
TO-220-3
引脚数
3
供应商器件包装
PG-TO220-3-1
质量
45.359237g
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
20.7A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Power Dissipation (Max)
208W Tc
Turn Off Delay Time
67 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tube
系列
CoolMOS™
已出版
2005
零件状态
不用于新设计
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终端
通孔
最高工作温度
150°C
最小工作温度
-55°C
电压 - 额定直流
650V
额定电流
20.7A
元素配置
Single
功率耗散
208W
接通延迟时间
10 ns
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
190mOhm @ 13.1A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
3.9V @ 1mA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
2400pF @ 25V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
114nC @ 10V
上升时间
5ns
漏源电压 (Vdss)
600V
Vgs(最大值)
±20V
下降时间(典型值)
4.5 ns
连续放电电流(ID)
20.7A
阈值电压
3V
栅极至源极电压(Vgs)
20V
漏源击穿电压
600V
双电源电压
650V
输入电容
2.4nF
漏源电阻
190mOhm
最大rds
190 mΩ
栅源电压
3 V
高度
9.25mm
长度
10mm
宽度
4.4mm
达到SVHC
无SVHC
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
SPP20N60C3XKSA1拓展信息
Infineon Technologies
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