Infineon Technologies SPP24N60CFDHKSA1

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-220-3

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

21.7A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

240W Tc

Turn Off Delay Time

100 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tube

系列

CoolMOS™

已出版

2008

无铅代码

yes

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子位置

SINGLE

引脚数量

3

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

接通延迟时间

50 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

185m Ω @ 15.4A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

5V @ 1.2mA

无卤素

不含卤素

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

3160pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

143nC @ 10V

上升时间

24ns

漏源电压 (Vdss)

650V

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

9 ns

连续放电电流(ID)

21.7A

JEDEC-95代码

TO-220AB

栅极至源极电压(Vgs)

20V

最大双电源电压

600V

漏极-源极导通最大电阻

0.185Ohm

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

55A

雪崩能量等级（Eas）

780 mJ

辐射硬化

无

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅