Infineon Technologies SPS01N60C3

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-251-3 Stub Leads, IPak

表面安装

NO

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

800mA Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

11W Tc

Turn Off Delay Time

55 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tube

系列

CoolMOS™

已出版

2005

无铅代码

yes

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

终端

通孔

ECCN 代码

EAR99

附加功能

雪崩 额定

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

引脚数量

3

资历状况

不合格

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

11W

接通延迟时间

30 ns

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

6 Ω @ 500mA, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

3.9V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

100pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

5nC @ 10V

上升时间

25ns

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

30 ns

连续放电电流(ID)

800mA

JEDEC-95代码

TO-251AA

栅极至源极电压(Vgs)

30V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

0.8A

漏极-源极导通最大电阻

6Ohm

漏源击穿电压

650V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

1.6A

双电源电压

650V

雪崩能量等级（Eas）

20 mJ

栅源电压

3 V

达到SVHC

Unknown

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅