Infineon Technologies SPU04N60C3BKMA1

工厂交货时间

8 Weeks

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

表面安装

NO

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

4.5A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

50W Tc

Turn Off Delay Time

58.5 ns

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

3.9V @ 200μA

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tube

系列

CoolMOS™

已出版

2005

无铅代码

no

零件状态

最后一次购买

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

附加功能

雪崩 额定

电压 - 额定直流

650V

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

额定电流

4.5A

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

资历状况

不合格

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

50W

接通延迟时间

6 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

950m Ω @ 2.8A, 10V

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

490pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

25nC @ 10V

上升时间

2.5ns

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

9.5 ns

连续放电电流(ID)

4.5A

阈值电压

3V

栅极至源极电压(Vgs)

20V

漏极-源极导通最大电阻

0.95Ohm

漏源击穿电压

600V

达到SVHC

无SVHC

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅