Infineon Technologies SPU04N60S5BKMA1

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

4.5A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

50W Tc

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tube

系列

CoolMOS™

已出版

2005

JESD-609代码

e3

无铅代码

no

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

附加功能

AVALANCHE RATED, HIGH VOLTAGE

端子位置

SINGLE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

引脚数量

3

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

950m Ω @ 2.8A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

5.5V @ 200μA

无卤素

不含卤素

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

580pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

22.9nC @ 10V

Vgs（最大值）

±20V

连续放电电流(ID)

4.5A

最大双电源电压

600V

漏极-源极导通最大电阻

0.95Ohm

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

9A

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

含铅