Infineon Technologies SPW24N60C3FKSA1

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-247-3

表面安装

NO

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

24.3A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

3.9V @ 1.2mA

Turn Off Delay Time

140 ns

Power Dissipation (Max)

240W Tc

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tube

已出版

2005

系列

CoolMOS™

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

不用于新设计

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

端子表面处理

Tin (Sn)

附加功能

雪崩 额定

电压 - 额定直流

650V

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

额定电流

24.3A

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

资历状况

不合格

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

240W

接通延迟时间

13 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

160m Ω @ 15.4A, 10V

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

3000pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

135nC @ 10V

上升时间

21ns

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

14 ns

连续放电电流(ID)

24.3A

阈值电压

3V

栅极至源极电压(Vgs)

20V

漏极-源极导通最大电阻

0.16Ohm

漏源击穿电压

650V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

72.9A

雪崩能量等级（Eas）

780 mJ

高度

21.1mm

长度

16.03mm

宽度

5.16mm

RoHS状态

ROHS3 Compliant

达到SVHC

无SVHC

无铅

无铅