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Infineon Technologies AG AUIRFU024N

Name: AUIRFU024N
Brand: Infineon Technologies AG
SKU: 1211-AUIRFU024N
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

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对比

型号

AUIRFU024N

品牌

Infineon Technologies AG

utmel 编号

1211-AUIRFU024N

商品类别

晶体管 - 特殊用途

封装

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Description: Power Field-Effect Transistor, 17A I(D), 55V, 0.075ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251AA, IPAK-3

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AUIRFU024N Infineon Technologies AG Description: Power Field-Effect Transistor, 17A I(D), 55V, 0.075ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251AA, IPAK-3

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AUIRFU024N详情

技术参数

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Infineon Technologies AG AUIRFU024N重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

参数名

参数值

全选
参数名

参数值

全选
表面安装

NO
终端数量

3
晶体管元件材料

SILICON
Rohs Code

有
Part Life Cycle Code

活跃
Ihs Manufacturer

INFINEON TECHNOLOGIES AG
Package Description

IPAK-3
Drain Current-Max (ID)

17 A
Moisture Sensitivity Levels

1
Number of Elements

1
Operating Temperature-Max

175 °C
Package Body Material

PLASTIC/EPOXY
Package Shape

RECTANGULAR
Package Style

IN-LINE
JESD-609代码

e3
ECCN 代码

EAR99
端子表面处理

镍外哑光锡
附加功能

AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY
端子位置

SINGLE
终端形式

THROUGH-HOLE
Reach合规守则

compliant
JESD-30代码

R-PSIP-T3
资历状况

不合格
配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式

增强型MOSFET
箱体转运

DRAIN
晶体管应用

SWITCHING
极性/通道类型

N-CHANNEL
JEDEC-95代码

TO-251AA
漏极-源极导通最大电阻

0.075 Ω
脉冲漏极电流-最大值(IDM)

68 A
DS 击穿电压-最小值

55 V
雪崩能量等级（Eas）

71 mJ
场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大耗散功率(Abs)

45 W

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