HYB18T512400BF-3.7
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Infineon Technologies AG HYB18T512400BF-3.7

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型号

HYB18T512400BF-3.7

utmel 编号

1211-HYB18T512400BF-3.7

商品类别

存储器

封装

--

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

DDR DRAM, 128MX4, 0.5ns, CMOS, PBGA60, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, TFBGA-60

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HYB18T512400BF-3.7
HYB18T512400BF-3.7 Infineon Technologies AG DDR DRAM, 128MX4, 0.5ns, CMOS, PBGA60, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, TFBGA-60

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HYB18T512400BF-3.7详情

Infineon Technologies AG HYB18T512400BF-3.7重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 表面安装

    YES

  • 引脚数

    60

  • 终端数量

    60

  • Part Life Cycle Code

    Transferred

  • Ihs Manufacturer

    INFINEON TECHNOLOGIES AG

  • Part Package Code

    BGA

  • Package Description

    TFBGA,

  • Access Time-Max

    0.5 ns

  • Number of Words

    134217728 words

  • Number of Words Code

    128000000

  • Package Body Material

    PLASTIC/EPOXY

  • Package Code

    TFBGA

  • Package Shape

    RECTANGULAR

  • Package Style

    GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH

  • Supply Voltage-Nom (Vsup)

    1.8 V

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 附加功能

    AUTO/SELF REFRESH

  • HTS代码

    8542.32.00.28

  • 端子位置

    BOTTOM

  • 终端形式

    BALL

  • 功能数量

    1

  • 端子间距

    0.8 mm

  • Reach合规守则

    unknown

  • JESD-30代码

    R-PBGA-B60

  • 资历状况

    不合格

  • 端口的数量

    1

  • 操作模式

    SYNCHRONOUS

  • 组织结构

    128MX4

  • 座位高度-最大

    1.2 mm

  • 内存宽度

    4

  • 记忆密度

    536870912 bit

  • 内存IC类型

    DDR DRAM

  • 电压 - 供电 (最大值)

    1.9 V

  • 电压 - 供电 (最小值)

    1.7 V

  • 访问模式

    四库页面突发

  • 自我刷新

    YES

  • 长度

    10.5 mm

  • 宽度

    10 mm

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技术文档: Infineon Technologies AG HYB18T512400BF-3.7.

HYB18T512400BF-3.7拓展信息

S80KS5122GABHI020
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S80KS5123GABHB020
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CY62157G30-45ZSXAT
CY62157G30-45ZSXAT

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S80KS2564GACHI040
S80KS2564GACHI040

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S70KL1283DPBHI020
S70KL1283DPBHI020

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S25HS01GTFAMHI010
S25HS01GTFAMHI010

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S80KS2562GABHI020
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S80KS2563GABHA020
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