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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥220.574299
10
¥208.088961
100
¥196.31034
500
¥185.198434
1000
¥174.715504
Infineon Technologies AG IGO60R070D1
- 收藏
- 对比
IGO60R070D1
1211-IGO60R070D1
晶体管 - JFET
--
大陆
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Trans JFET N-CH 600V 31A GaN 20-Pin DSO EP T/R
--最小包装量--
¥
总价: ¥
IGO60R070D1详情
Infineon Technologies AG IGO60R070D1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
材料
GaN
ECCN (US)
EAR99
Maximum Drain Source Voltage (V)
600
Maximum Gate Source Voltage (V)
-10(Min)
Maximum Continuous Drain Current (mA)
31000
Maximum Power Dissipation (mW)
125000
Minimum Operating Temperature (°C)
-55
Maximum Operating Temperature (°C)
150
Standard Package Name
SOP
Supplier Package
DSO EP
Military
无
Mounting
表面贴装
Package Height
3.25
Package Length
15.9
Package Width
11
PCB changed
20
Lead Shape
Gull-wing
Package Description
,
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Rohs Code
有
Manufacturer Part Number
IGO60R070D1
Manufacturer
Infineon Technologies AG
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
INFINEON TECHNOLOGIES AG
Risk Rank
2.27
包装
卷带
零件状态
活跃
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
Reach合规守则
compliant
引脚数量
20
配置
单六角漏极 七源
信道型
N
RoHS状态
是,有豁免
IGO60R070D1拓展信息
Infineon
Infineon
Infineon
Infineon Technologies AG
Infineon Technologies AG







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