Infineon Technologies AG IGT60R070D1
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IGT60R070D1
1211-IGT60R070D1
晶体管 - JFET
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大陆
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Trans JFET N-CH 600V 31A GaN 9-Pin(8 Tab) HSOF T/R
--最小包装量--
IGT60R070D1详情
Infineon Technologies AG IGT60R070D1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
材料
GaN
ECCN (US)
EAR99
Maximum Drain Source Voltage (V)
600
Maximum Gate Source Voltage (V)
-10(Min)
Maximum Continuous Drain Current (mA)
31000
Maximum Power Dissipation (mW)
125000
Minimum Operating Temperature (°C)
-55
Maximum Operating Temperature (°C)
150
Supplier Package
HSOF
Military
无
Mounting
表面贴装
Package Height
2.3
Package Length
9.9
Package Width
10.38
PCB changed
8
Tab
Tab
Rohs Code
有
Manufacturer Part Number
IGT60R070D1
Manufacturer
Infineon Technologies AG
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
INFINEON TECHNOLOGIES AG
Risk Rank
2.24
包装
卷带
零件状态
活跃
Reach合规守则
unknown
引脚数量
9
配置
单个十六进制源
信道型
N
RoHS状态
是,有豁免
IGT60R070D1拓展信息
Infineon
Infineon
Infineon
Infineon Technologies AG
Infineon Technologies AG








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