Infineon Technologies AG JANSR2N7486U3
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JANSR2N7486U3
1211-JANSR2N7486U3
晶体管 - 特殊用途
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大陆
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Description: Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 200V, 0.22ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET,
1最小包装量--
JANSR2N7486U3详情
Infineon Technologies AG JANSR2N7486U3重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
Contact plating
gold-plated
表面安装
YES
Number of pins
1
终端数量
3
晶体管元件材料
SILICON
外壳材料
1
Type of connector
pin strips
Connector
socket
Kind of connector
female
Spatial orientation
straight
Contacts pitch
1.27mm
Electrical mounting
THT
Connector pinout layout
1x1
Gross weight
0.07 g
Rohs Code
无
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
INFINEON TECHNOLOGIES AG
Package Description
CHIP CARRIER, R-CBCC-N3
Drain Current-Max (ID)
12 A
Operating Temperature-Max
150 °C
Operating Temperature-Min
-55 °C
Package Body Material
CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
Package Shape
RECTANGULAR
Package Style
CHIP CARRIER
Turn-off Time-Max (toff)
65 ns
Turn-on Time-Max (ton)
125 ns
Operating temperature
-40...163°C
JESD-609代码
e0
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin/Lead (Sn/Pb)
附加功能
辐射硬化
端子位置
BOTTOM
终端形式
无铅
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
Reach合规守则
not_compliant
Current rating
1.5A
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
参考标准
MIL-19500
JESD-30代码
R-CBCC-N3
资历状况
Qualified
配置
SINGLE
操作模式
增强型MOSFET
箱体转运
DRAIN
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
N-CHANNEL
漏极-源极导通最大电阻
0.22 Ω
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
48 A
DS 击穿电压-最小值
200 V
雪崩能量等级(Eas)
60 mJ
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大耗散功率(Abs)
75 W
Rated voltage
125V
反馈上限-最大值 (Crss)
11 pF
个人资料
bronze
Plating thickness
0.254µm
Flammability rating
UL94V-0
JANSR2N7486U3拓展信息
Infineon Technologies AG
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