JANSR2N7486U3
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Infineon Technologies AG JANSR2N7486U3

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型号

JANSR2N7486U3

utmel 编号

1211-JANSR2N7486U3

商品类别

晶体管 - 特殊用途

封装

--

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Description: Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 200V, 0.22ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET,

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JANSR2N7486U3
JANSR2N7486U3 Infineon Technologies AG Description: Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 200V, 0.22ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET,

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JANSR2N7486U3详情

Infineon Technologies AG JANSR2N7486U3重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • Contact plating

    gold-plated

  • 表面安装

    YES

  • Number of pins

    1

  • 终端数量

    3

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • 外壳材料

    1

  • Type of connector

    pin strips

  • Connector

    socket

  • Kind of connector

    female

  • Spatial orientation

    straight

  • Contacts pitch

    1.27mm

  • Electrical mounting

    THT

  • Connector pinout layout

    1x1

  • Gross weight

    0.07 g

  • Rohs Code

  • Part Life Cycle Code

    活跃

  • Ihs Manufacturer

    INFINEON TECHNOLOGIES AG

  • Package Description

    CHIP CARRIER, R-CBCC-N3

  • Drain Current-Max (ID)

    12 A

  • Operating Temperature-Max

    150 °C

  • Operating Temperature-Min

    -55 °C

  • Package Body Material

    CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED

  • Package Shape

    RECTANGULAR

  • Package Style

    CHIP CARRIER

  • Turn-off Time-Max (toff)

    65 ns

  • Turn-on Time-Max (ton)

    125 ns

  • Operating temperature

    -40...163°C

  • JESD-609代码

    e0

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 端子表面处理

    Tin/Lead (Sn/Pb)

  • 附加功能

    辐射硬化

  • 端子位置

    BOTTOM

  • 终端形式

    无铅

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    未说明

  • Reach合规守则

    not_compliant

  • Current rating

    1.5A

  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)

    未说明

  • 参考标准

    MIL-19500

  • JESD-30代码

    R-CBCC-N3

  • 资历状况

    Qualified

  • 配置

    SINGLE

  • 操作模式

    增强型MOSFET

  • 箱体转运

    DRAIN

  • 晶体管应用

    SWITCHING

  • 极性/通道类型

    N-CHANNEL

  • 漏极-源极导通最大电阻

    0.22 Ω

  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)

    48 A

  • DS 击穿电压-最小值

    200 V

  • 雪崩能量等级(Eas)

    60 mJ

  • 场效应管技术

    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

  • 最大耗散功率(Abs)

    75 W

  • Rated voltage

    125V

  • 反馈上限-最大值 (Crss)

    11 pF

  • 个人资料

    bronze

  • Plating thickness

    0.254µm

  • Flammability rating

    UL94V-0

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技术文档: Infineon Technologies AG JANSR2N7486U3.

JANSR2N7486U3拓展信息

IRF7105TR
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BSZ0702LS
BSZ0702LS

Infineon Technologies AG

IAUC24N10S5L300
IAUC24N10S5L300

Infineon Technologies AG

IPW65R029CFD7
IPW65R029CFD7

Infineon Technologies AG

IPD80R450P7
IPD80R450P7

Infineon Technologies AG

IMBG120R140M1H
IMBG120R140M1H

Infineon Technologies AG

IAUC120N06S5N017
IAUC120N06S5N017

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PTFA211801EV5
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IPP014N06NF2S
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SPU28N05L
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