Integrated Device Technology 71V256SA10Y
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71V256SA10Y
1179-71V256SA10Y
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Cache SRAM, 32KX8, 10ns, CMOS, PDSO28, 0.300 INCH, SOJ-28
1最小包装量--
71V256SA10Y详情
Integrated Device Technology 71V256SA10Y重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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表面安装
YES
终端数量
28
Package Description
SOJ, SOJ28,.34
Package Style
小概要
Moisture Sensitivity Levels
3
Number of Words Code
32000
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Equivalence Code
SOJ28,.34
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Access Time-Max
10 ns
Operating Temperature-Max
70 °C
Rohs Code
无
Manufacturer Part Number
71V256SA10Y
Number of Words
32768 words
Supply Voltage-Nom (Vsup)
3.3 V
Package Code
SOJ
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
Integrated Device Technology Inc
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC
Risk Rank
5.26
JESD-609代码
e0
无铅代码
无
端子表面处理
Tin/Lead (Sn85Pb15)
子类别
SRAMs
技术
CMOS
端子位置
DUAL
终端形式
J BEND
峰值回流焊温度(摄氏度)
225
功能数量
1
端子间距
1.27 mm
Reach合规守则
not_compliant
JESD-30代码
R-PDSO-J28
资历状况
不合格
电源电压-最大值(Vsup)
3.6 V
电源
3.3 V
温度等级
COMMERCIAL
电源电压-最小值(Vsup)
3 V
操作模式
ASYNCHRONOUS
电源电流-最大值
0.1 mA
组织结构
32KX8
输出特性
3-STATE
内存宽度
8
待机电流-最大值
0.002 A
记忆密度
262144 bit
并行/串行
PARALLEL
I/O类型
COMMON
内存IC类型
缓存SRAM
待机电压-最小值
3 V
71V256SA10Y拓展信息
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