Integrated Device Technology IDT70V3319S133BC

表面安装

YES

终端数量

256

Package Description

LBGA, BGA256,16X16,40

Package Style

GRID ARRAY, LOW PROFILE

Moisture Sensitivity Levels

3

Number of Words Code

256000

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Package Equivalence Code

BGA256,16X16,40

Reflow Temperature-Max (s)

20

Access Time-Max

15 ns

Operating Temperature-Max

70 °C

Rohs Code

无

Manufacturer Part Number

IDT70V3319S133BC

Clock Frequency-Max (fCLK)

133 MHz

Number of Words

262144 words

Supply Voltage-Nom (Vsup)

3.3 V

Package Code

LBGA

Package Shape

SQUARE

Manufacturer

Integrated Device Technology Inc

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC

Risk Rank

5.13

Part Package Code

BGA

JESD-609代码

e0

无铅代码

无

ECCN 代码

3A991.B.2.A

端子表面处理

Tin/Lead (Sn63Pb37)

附加功能

PIPELINED OR FLOW-THROUGH ARCHITECTURE

HTS代码

8542.32.00.41

子类别

SRAMs

技术

CMOS

端子位置

BOTTOM

终端形式

BALL

峰值回流焊温度（摄氏度）

225

功能数量

1

端子间距

1 mm

Reach合规守则

not_compliant

引脚数量

256

JESD-30代码

S-PBGA-B256

资历状况

不合格

电源电压-最大值(Vsup)

3.45 V

电源

2.5/3.3,3.3 V

温度等级

COMMERCIAL

电源电压-最小值(Vsup)

3.15 V

端口的数量

2

操作模式

SYNCHRONOUS

电源电流-最大值

0.4 mA

组织结构

256KX18

输出特性

3-STATE

座位高度-最大

1.7 mm

内存宽度

18

待机电流-最大值

0.03 A

记忆密度

4718592 bit

并行/串行

PARALLEL

I/O类型

COMMON

内存IC类型

DUAL-PORT SRAM

待机电压-最小值

3.15 V

宽度

17 mm

长度

17 mm