Integrated Device Technology (IDT) 70P245L65BYGI

包装/外壳

TFBGA

表面安装

YES

引脚数

100

Memory Types

RAM, SDR, SRAM

包装

Bulk

已出版

2011

JESD-609代码

e1

无铅代码

yes

零件状态

Discontinued

湿度敏感性等级(MSL)

3 (168 Hours)

终止次数

100

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)

最高工作温度

85°C

最小工作温度

-40°C

端子位置

BOTTOM

终端形式

BALL

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

功能数量

1

电源电压

1.8V

端子间距

0.5mm

时间@峰值回流温度-最大值(s)

30

引脚数量

100

温度等级

INDUSTRIAL

界面

Parallel

最大电源电压

3V

最小电源电压

1.8V

内存大小

8kB

端口的数量

2

电源电流-最大值

0.07mA

访问时间

65 ns

组织结构

4KX16

输出特性

3-STATE

地址总线宽度

24b

密度

64 kb

待机电流-最大值

0.000008A

I/O类型

COMMON

长度

6mm

宽度

6mm

器件厚度

1mm

辐射硬化

无

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅