70V3599S133BFGI8
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Integrated Device Technology (IDT) 70V3599S133BFGI8

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型号

70V3599S133BFGI8

utmel 编号

1179-70V3599S133BFGI8

商品类别

存储器

封装

--

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

SRAM Chip Sync Dual 3.3V 4.5M-Bit 128K x 36 15ns/4.2ns 208-Pin CABGA T/R

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70V3599S133BFGI8 Integrated Device Technology (IDT) SRAM Chip Sync Dual 3.3V 4.5M-Bit 128K x 36 15ns/4.2ns 208-Pin CABGA T/R

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70V3599S133BFGI8详情

Integrated Device Technology (IDT) 70V3599S133BFGI8重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 工厂交货时间

    7 Weeks

  • 表面安装

    YES

  • 引脚数

    208

  • Memory Types

    RAM, SRAM

  • 包装

    Tape & Reel

  • 已出版

    2010

  • JESD-609代码

    e1

  • 无铅代码

    yes

  • 零件状态

    活跃

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    3 (168 Hours)

  • 终止次数

    208

  • 端子表面处理

    Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)

  • 最高工作温度

    85°C

  • 最小工作温度

    -40°C

  • 附加功能

    FLOW-THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE

  • 端子位置

    BOTTOM

  • 终端形式

    BALL

  • 功能数量

    1

  • 电源电压

    3.3V

  • 端子间距

    0.8mm

  • 频率

    133MHz

  • 引脚数量

    208

  • 工作电源电压

    3.3V

  • 电源电压-最大值(Vsup)

    3.45V

  • 温度等级

    INDUSTRIAL

  • 电源电压-最小值(Vsup)

    3.15V

  • 界面

    Parallel

  • 端口的数量

    2

  • 电源电流-最大值

    0.48mA

  • 输出特性

    3-STATE

  • 地址总线宽度

    34b

  • 密度

    4.5 Mb

  • 待机电流-最大值

    0.04A

  • 访问时间(最大)

    15 ns

  • I/O类型

    COMMON

  • 待机电压-最小值

    3.15V

  • 长度

    15mm

  • 座位高度(最大)

    1.7mm

  • 宽度

    15mm

  • 器件厚度

    1.4mm

  • 辐射硬化

  • RoHS状态

    符合RoHS标准

  • 无铅

    无铅

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右边的3个型号有着和Integrated Device Technology (IDT) & 70V3599S133BFGI8相似的参数规格。

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