Integrated Device Technology (IDT) 70V657S12BFGI
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70V657S12BFGI
1179-70V657S12BFGI
存储器
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SRAM Chip Async Dual 3.3V 1.125M-Bit 32K x 36 12ns 208-Pin CABGA Tube
1最小包装量--
70V657S12BFGI详情
Integrated Device Technology (IDT) 70V657S12BFGI重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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工厂交货时间
7 Weeks
表面安装
YES
引脚数
208
Memory Types
RAM, SDR, SRAM
已出版
2009
JESD-609代码
e1
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
3 (168 Hours)
终止次数
208
端子表面处理
Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
最高工作温度
85°C
最小工作温度
-40°C
端子位置
BOTTOM
终端形式
BALL
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
功能数量
1
电源电压
3.3V
端子间距
0.8mm
时间@峰值回流温度-最大值(s)
30
引脚数量
208
工作电源电压
3.3V
温度等级
INDUSTRIAL
界面
Parallel
最大电源电压
3.45V
最小电源电压
3.15V
内存大小
128kB
端口的数量
2
电源电流-最大值
0.515mA
访问时间
12 ns
输出特性
3-STATE
地址总线宽度
30b
密度
1.1 Mb
待机电流-最大值
0.015A
I/O类型
COMMON
长度
15mm
宽度
15mm
器件厚度
1.4mm
辐射硬化
无
RoHS状态
符合RoHS标准
无铅
无铅
70V657S12BFGI拓展信息
IDT
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