7132LA100PDG
7132LA100PDG

注:图像仅供参考,请参阅产品规格

技术文档 技术文档

PDF列表 PDF文档列表
免费送样

Integrated Device Technology (IDT) 7132LA100PDG

  • 收藏
  • 对比

型号

7132LA100PDG

utmel 编号

1179-7132LA100PDG

商品类别

存储器

封装

DIP

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

IC SRAM 16KBIT 100NS 48DIP

起订量

--最小包装量--

添加到询价列表
7132LA100PDG
7132LA100PDG Integrated Device Technology (IDT) IC SRAM 16KBIT 100NS 48DIP

请发送询价,我们将立即回复。

库存:5000

请发送询价,我们将立即回复。

*
验证码
在线咨询

7132LA100PDG详情

Integrated Device Technology (IDT) 7132LA100PDG重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 工厂交货时间

    7 Weeks

  • 包装/外壳

    DIP

  • 表面安装

    NO

  • 引脚数

    48

  • Memory Types

    RAM, SRAM

  • 已出版

    2010

  • JESD-609代码

    e3

  • 无铅代码

    yes

  • 零件状态

    活跃

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 终止次数

    48

  • 端子表面处理

    Matte Tin (Sn)

  • 最高工作温度

    70°C

  • 最小工作温度

    0°C

  • HTS代码

    8542.32.00.41

  • 端子位置

    DUAL

  • 终端形式

    THROUGH-HOLE

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    260

  • 功能数量

    1

  • 电源电压

    5V

  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)

    未说明

  • 引脚数量

    48

  • 电源电压-最大值(Vsup)

    5.5V

  • 温度等级

    COMMERCIAL

  • 电源电压-最小值(Vsup)

    4.5V

  • 界面

    Parallel

  • 操作模式

    ASYNCHRONOUS

  • 组织结构

    2KX8

  • 记忆密度

    16384 bit

  • 访问时间(最大)

    100 ns

  • 长度

    61.7mm

  • 宽度

    15.24mm

  • 器件厚度

    3.8mm

  • RoHS状态

    符合RoHS标准

  • 无铅

    无铅

0个相似型号

技术文档: Integrated Device Technology (IDT) 7132LA100PDG.

7132LA100PDG拓展信息

索引: # 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z