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Integrated Device Technology (IDT) 71T75602S100BG

Name: 71T75602S100BG
Brand: Integrated Device Technology (IDT)
SKU: 1179-71T75602S100BG
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

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对比

型号

71T75602S100BG

品牌

Integrated Device Technology (IDT)

utmel 编号

1179-71T75602S100BG

商品类别

存储器

封装

BGA

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

SRAM Chip Sync Single 2.5V 18M-Bit 512K x 36 5ns 119-Pin BGA Tube/Tray

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71T75602S100BG Integrated Device Technology (IDT) SRAM Chip Sync Single 2.5V 18M-Bit 512K x 36 5ns 119-Pin BGA Tube/Tray

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71T75602S100BG详情

技术参数

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Integrated Device Technology (IDT) 71T75602S100BG重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

参数名

参数值

全选
参数名

参数值

全选
工厂交货时间

8 Weeks
底架

表面贴装
包装/外壳

BGA
引脚数

119
Frequency(Max)

100MHz
Memory Types

RAM, SDR, SRAM
已出版

2012
JESD-609代码

e0
无铅代码

no
零件状态

活跃
湿度敏感性等级(MSL)

3 (168 Hours)
终止次数

119
端子表面处理

Tin/Lead (Sn63Pb37)
最高工作温度

70°C
最小工作温度

0°C
附加功能

流水线结构
端子位置

BOTTOM
终端形式

BALL
峰值回流焊温度（摄氏度）

225
功能数量

1
电源电压

2.5V
频率

100MHz
引脚数量

119
工作电源电压

2.5V
温度等级

COMMERCIAL
界面

Parallel
最大电源电压

2.625V
最小电源电压

2.375V
内存大小

2.3MB
端口的数量

1
电源电流

175mA
访问时间

5 ns
输出特性

3-STATE
地址总线宽度

19b
密度

18 Mb
待机电流-最大值

0.04A
I/O类型

COMMON
同步/异步

Synchronous
字长

36b
待机电压-最小值

2.38V
长度

14mm
座位高度(最大)

2.36mm
宽度

22mm
器件厚度

2.15mm
辐射硬化

无
RoHS状态

符合RoHS标准
无铅

含铅

0个相似型号

技术文档: Integrated Device Technology (IDT) 71T75602S100BG.

数据表 :
71t75602s100bg-rtFCOW92-3jdrLn1qB.pdf

71T75602S100BG拓展信息

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