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Integrated Device Technology (IDT) 71V016SA20BFGI8

Name: 71V016SA20BFGI8
Brand: Integrated Device Technology (IDT)
SKU: 1179-71V016SA20BFGI8
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

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对比

型号

71V016SA20BFGI8

品牌

Integrated Device Technology (IDT)

utmel 编号

1179-71V016SA20BFGI8

商品类别

存储器

封装

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

SRAM Chip Async Single 3.3V 1M-Bit 64K x 16 20ns 48-Pin CABGA T/R

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71V016SA20BFGI8 Integrated Device Technology (IDT) SRAM Chip Async Single 3.3V 1M-Bit 64K x 16 20ns 48-Pin CABGA T/R

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71V016SA20BFGI8详情

技术参数

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Integrated Device Technology (IDT) 71V016SA20BFGI8重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

参数名

参数值

全选
参数名

参数值

全选
工厂交货时间

12 Weeks
底架

表面贴装
引脚数

48
Memory Types

RAM, SDR, SRAM - Asynchronous
已出版

2011
JESD-609代码

e1
无铅代码

yes
零件状态

活跃
湿度敏感性等级(MSL)

3 (168 Hours)
终止次数

48
端子表面处理

Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
最高工作温度

85°C
最小工作温度

-40°C
端子位置

BOTTOM
终端形式

BALL
峰值回流焊温度（摄氏度）

260
功能数量

1
电源电压

3.3V
端子间距

0.75mm
时间@峰值回流温度-最大值(s)

30
引脚数量

48
工作电源电压

3.3V
温度等级

INDUSTRIAL
界面

Parallel
最大电源电压

3.6V
最小电源电压

3V
内存大小

128kB
端口的数量

1
电源电流

120mA
访问时间

20 ns
输出特性

3-STATE
地址总线宽度

16b
密度

1 Mb
I/O类型

COMMON
同步/异步

Asynchronous
字长

16b
待机电压-最小值

3V
长度

7mm
宽度

7mm
器件厚度

1.4mm
辐射硬化

无
RoHS状态

符合RoHS标准
无铅

无铅

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技术文档: Integrated Device Technology (IDT) 71V016SA20BFGI8.

数据表 :
71v016sa20bfgi8-v8KTzCDB-8q0pLxyaq.pdf

71V016SA20BFGI8拓展信息

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