Integrated Device Technology (IDT) 79R308120MJ
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79R308120MJ
1179-79R308120MJ
集成电路(IC)
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QCCJ, LDCC84,1.2SQ
1最小包装量--
79R308120MJ详情
Integrated Device Technology (IDT) 79R308120MJ重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
YES
终端数量
84
Manufacturer Part Number
79R308120MJ
Rohs Code
无
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC
Part Package Code
QFN
Package Description
QCCJ, LDCC84,1.2SQ
Risk Rank
5.92
Clock Frequency-Max
50 MHz
Moisture Sensitivity Levels
1
Operating Temperature-Max
85 °C
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Code
QCCJ
Package Equivalence Code
LDCC84,1.2SQ
Package Shape
SQUARE
Package Style
CHIP CARRIER
Supply Voltage-Max
5.25 V
Supply Voltage-Nom
5 V
Reflow Temperature-Max (s)
20
Supply Voltage-Min
4.75 V
JESD-609代码
e0
无铅代码
无
ECCN 代码
3A001.A.3
端子表面处理
Tin/Lead (Sn85Pb15)
HTS代码
8542.31.00.01
端子位置
QUAD
终端形式
J BEND
峰值回流焊温度(摄氏度)
240
端子间距
1.27 mm
Reach合规守则
not_compliant
引脚数量
84
JESD-30代码
S-PQCC-J84
资历状况
不合格
电源
5 V
温度等级
OTHER
速度
20 MHz
uPs/uCs/外围ICs类型
MICROPROCESSOR, RISC
电源电流-最大值
850 mA
位元大小
32
座位高度-最大
4.572 mm
地址总线宽度
32
边界扫描
NO
低功率模式
YES
外部数据总线宽度
32
格式
浮点
集成缓存
YES
长度
29.083 mm
宽度
29.083 mm
79R308120MJ拓展信息
Integrated Device Technology (IDT)
Integrated Device Technology (IDT)
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