Integrated Device Technology (IDT) IDT6116SA35SOI

包装/外壳

SOIC

表面安装

YES

Memory Types

RAM, SRAM - Asynchronous

已出版

2008

JESD-609代码

e0

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

24

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

最高工作温度

85°C

最小工作温度

-40°C

HTS代码

8542.32.00.41

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

225

功能数量

1

电源电压

5V

端子间距

1.27mm

Reach合规守则

not_compliant

时间@峰值回流温度-最大值(s)

30

引脚数量

24

JESD-30代码

R-PDSO-G24

资历状况

不合格

电源电压-最大值(Vsup)

5.5V

电源

5V

温度等级

INDUSTRIAL

电源电压-最小值(Vsup)

4.5V

界面

Parallel

电源电流-最大值

0.1mA

组织结构

2KX8

输出特性

3-STATE

内存宽度

8

待机电流-最大值

0.002A

记忆密度

16384 bit

访问时间（最大）

35 ns

I/O类型

COMMON

待机电压-最小值

4.5V

长度

15.4mm

座位高度(最大)

2.65mm

宽度

7.5mm

RoHS状态

Non-RoHS Compliant