Integrated Device Technology (IDT) IDT7132LA120L52B
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IDT7132LA120L52B
1179-IDT7132LA120L52B
集成电路(IC)
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IDT7132LA120L52B详情
Integrated Device Technology (IDT) IDT7132LA120L52B重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
YES
终端数量
52
Manufacturer Part Number
IDT7132LA120L52B
Rohs Code
无
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC
Part Package Code
LCC
Package Description
LCC-52
Risk Rank
5.68
Access Time-Max
120 ns
Number of Words
2048 words
Number of Words Code
2000
Operating Temperature-Max
125 °C
Operating Temperature-Min
-55 °C
Package Body Material
CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
Package Code
QCCN
Package Equivalence Code
LCC52,.75SQ
Package Shape
SQUARE
Package Style
CHIP CARRIER
Supply Voltage-Nom (Vsup)
5 V
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Usage Level
Military grade
JESD-609代码
e0
无铅代码
无
ECCN 代码
3A001.A.2.C
端子表面处理
Tin/Lead (Sn/Pb)
附加功能
AUTOMATIC POWER-DOWN
HTS代码
8542.32.00.41
端子位置
QUAD
终端形式
无铅
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
功能数量
1
端子间距
1.27 mm
Reach合规守则
not_compliant
引脚数量
52
JESD-30代码
S-CQCC-N52
资历状况
不合格
电源电压-最大值(Vsup)
5.5 V
电源
5 V
温度等级
MILITARY
电源电压-最小值(Vsup)
4.5 V
端口的数量
2
操作模式
ASYNCHRONOUS
电源电流-最大值
0.155 mA
组织结构
2KX8
输出特性
3-STATE
座位高度-最大
2.2098 mm
内存宽度
8
待机电流-最大值
0.004 A
记忆密度
16384 bit
筛选水平
38535Q/M;38534H;883B
并行/串行
PARALLEL
I/O类型
COMMON
内存IC类型
MULTI-PORT SRAM
待机电压-最小值
2 V
输出启用
YES
长度
19.05 mm
宽度
19.05 mm
IDT7132LA120L52B拓展信息
Integrated Device Technology (IDT)
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