Integrated Device Technology (IDT) IDT7164S35TPG

包装/外壳

DIP

表面安装

NO

引脚数

28

Memory Types

RAM, SRAM - Asynchronous

已出版

2009

JESD-609代码

e3

终止次数

28

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Matte Tin (Sn) - annealed

最高工作温度

70°C

最小工作温度

0°C

HTS代码

8542.32.00.41

电压 - 供电

5V

端子位置

DUAL

终端形式

THROUGH-HOLE

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

功能数量

1

端子间距

2.54mm

时间@峰值回流温度-最大值(s)

30

资历状况

不合格

电源

5V

温度等级

COMMERCIAL

界面

Parallel

电源电流-最大值

0.15mA

组织结构

8KX8

输出特性

3-STATE

内存宽度

8

待机电流-最大值

0.015A

记忆密度

65536 bit

访问时间（最大）

35 ns

I/O类型

COMMON

待机电压-最小值

4.5V

电压 - 供电 （最大值）

5.5V

电压 - 供电 （最小值）

4.5V

长度

34.67mm

座位高度(最大)

4.57mm

宽度

7.62mm

RoHS状态

符合RoHS标准