Integrated Device Technology (IDT) IDT71V3579S75PFG

表面安装

YES

终端数量

100

Package Description

LQFP, QFP100,.63X.87

Package Style

FLATPACK, LOW PROFILE

Moisture Sensitivity Levels

3

Number of Words Code

256000

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Package Equivalence Code

QFP100,.63X.87

Reflow Temperature-Max (s)

30

Access Time-Max

7.5 ns

Operating Temperature-Max

70 °C

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

IDT71V3579S75PFG

Clock Frequency-Max (fCLK)

117 MHz

Number of Words

262144 words

Supply Voltage-Nom (Vsup)

3.3 V

Package Code

LQFP

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

Integrated Device Technology Inc

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC

Risk Rank

4.65

Part Package Code

QFP

JESD-609代码

e3

无铅代码

有

ECCN 代码

3A991.B.2.A

端子表面处理

Matte Tin (Sn) - annealed

附加功能

FLOW-THROUGH ARCHITECTURE

HTS代码

8542.32.00.41

子类别

SRAMs

技术

CMOS

端子位置

QUAD

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

功能数量

1

端子间距

0.65 mm

Reach合规守则

compliant

引脚数量

100

JESD-30代码

R-PQFP-G100

资历状况

不合格

电源电压-最大值(Vsup)

3.465 V

电源

3.3 V

温度等级

COMMERCIAL

电源电压-最小值(Vsup)

3.135 V

操作模式

SYNCHRONOUS

电源电流-最大值

0.255 mA

组织结构

256KX18

输出特性

3-STATE

座位高度-最大

1.6 mm

内存宽度

18

待机电流-最大值

0.03 A

记忆密度

4718592 bit

并行/串行

PARALLEL

I/O类型

COMMON

内存IC类型

缓存SRAM

待机电压-最小值

3.14 V

宽度

14 mm

长度

20 mm