Integrated Device Technology (IDT) IDT71256L70TDB

表面安装

NO

终端数量

28

Package Description

DIP, DIP28,.3

Package Style

IN-LINE

Number of Words Code

32000

Package Body Material

CERAMIC, GLASS-SEALED

Package Equivalence Code

DIP28,.3

Operating Temperature-Min

-55 °C

Reflow Temperature-Max (s)

20

Access Time-Max

70 ns

Operating Temperature-Max

125 °C

Rohs Code

无

Manufacturer Part Number

IDT71256L70TDB

Number of Words

32768 words

Supply Voltage-Nom (Vsup)

5 V

Package Code

DIP

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

Integrated Device Technology Inc

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC

Risk Rank

5.07

Part Package Code

DIP

Usage Level

Military grade

JESD-609代码

e0

无铅代码

无

ECCN 代码

3A001.A.2.C

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

HTS代码

8542.32.00.41

子类别

SRAMs

技术

CMOS

端子位置

DUAL

终端形式

THROUGH-HOLE

峰值回流焊温度（摄氏度）

225

功能数量

1

端子间距

2.54 mm

Reach合规守则

not_compliant

引脚数量

28

JESD-30代码

R-GDIP-T28

资历状况

不合格

电源电压-最大值(Vsup)

5.5 V

电源

5 V

温度等级

MILITARY

电源电压-最小值(Vsup)

4.5 V

端口的数量

1

操作模式

ASYNCHRONOUS

电源电流-最大值

0.115 mA

组织结构

32KX8

输出特性

3-STATE

座位高度-最大

5.08 mm

内存宽度

8

待机电流-最大值

0.0005 A

记忆密度

262144 bit

筛选水平

MIL-STD-883 Class B

并行/串行

PARALLEL

I/O类型

COMMON

内存IC类型

标准SRAM

待机电压-最小值

2 V

输出启用

YES

宽度

7.62 mm

长度

37.1475 mm