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Integrated Device Technology (IDT) IDT72V51543L7-5BBI

Name: IDT72V51543L7-5BBI
Brand: Integrated Device Technology (IDT)
SKU: 1179-IDT72V51543L7-5BBI
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

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对比

型号

IDT72V51543L7-5BBI

品牌

Integrated Device Technology (IDT)

utmel 编号

1179-IDT72V51543L7-5BBI

商品类别

专用 IC

封装

BGA

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

FIFO Mem Sync Dual Depth Uni-Dir 2K x 18 x 32 256-Pin BGA

起订量

1最小包装量--

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IDT72V51543L7-5BBI Integrated Device Technology (IDT) FIFO Mem Sync Dual Depth Uni-Dir 2K x 18 x 32 256-Pin BGA

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IDT72V51543L7-5BBI详情

技术参数

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Integrated Device Technology (IDT) IDT72V51543L7-5BBI重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

参数名

参数值

全选
参数名

参数值

全选
底架

表面贴装
包装/外壳

BGA
引脚数

256
已出版

2005
JESD-609代码

e0
湿度敏感性等级(MSL)

3 (168 Hours)
终止次数

256
ECCN 代码

EAR99
端子表面处理

Tin/Lead (Sn63Pb37)
最高工作温度

85°C
最小工作温度

-40°C
附加功能

ALTERNATIVE MEMORY WIDTH:9-BIT
HTS代码

8542.32.00.71
端子位置

BOTTOM
终端形式

BALL
峰值回流焊温度（摄氏度）

225
功能数量

1
电源电压

3.3V
端子间距

1mm
Reach合规守则

not_compliant
频率

133MHz
时间@峰值回流温度-最大值(s)

20
引脚数量

256
资历状况

不合格
工作电源电压

3.3V
温度等级

INDUSTRIAL
最大电源电压

3.6V
最小电源电压

3.15V
元素配置

Dual
电源电流

100mA
访问时间

4 ns
方向

单向
组织结构

64KX18
内存宽度

18
密度

1 Mb
待机电流-最大值

0.01A
并行/串行

PARALLEL
同步/异步

Synchronous
字长

18b
内存IC类型

其他先进先出
备用内存宽度

9
输出启用

YES
周期

7.5 ns
长度

17mm
座位高度(最大)

3.5mm
宽度

17mm
RoHS状态

Non-RoHS Compliant

0个相似型号

技术文档: Integrated Device Technology (IDT) IDT72V51543L7-5BBI.

数据表 :
idt72v51543l7-5bbi-Cgw0cvBL-PNjvxGdqK.pdf

IDT72V51543L7-5BBI拓展信息

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