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Integrated Device Technology (IDT) K4T1G164QG-BIE6T

Name: K4T1G164QG-BIE6T
Brand: Integrated Device Technology (IDT)
SKU: 1179-K4T1G164QG-BIE6T
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

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对比

型号

K4T1G164QG-BIE6T

品牌

Integrated Device Technology (IDT)

utmel 编号

1179-K4T1G164QG-BIE6T

商品类别

集成电路（IC）

封装

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

K4T1G164QG-BIE6T datasheet pdf and Integrated Circuits (ICs) product details from Integrated Device Technology (IDT) stock available at utmel

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K4T1G164QG-BIE6T Integrated Device Technology (IDT)

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K4T1G164QG-BIE6T详情

技术参数

Integrated Device Technology (IDT) K4T1G164QG-BIE6T重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

参数名

参数值

全选
参数名

参数值

全选
表面安装

YES
终端数量

84
Manufacturer Part Number

K4T1G164QG-BIE6T
Rohs Code

有
Part Life Cycle Code

Obsolete
Ihs Manufacturer

SAMSUNG SEMICONDUCTOR INC
Package Description

FBGA, BGA84,9X15,32
Risk Rank

5.84
Access Time-Max

0.45 ns
Clock Frequency-Max (fCLK)

333 MHz
Number of Words

67108864 words
Number of Words Code

64000000
Package Body Material

PLASTIC/EPOXY
Package Code

FBGA
Package Equivalence Code

BGA84,9X15,32
Package Shape

RECTANGULAR
Package Style

GRID ARRAY, FINE PITCH
Supply Voltage-Nom (Vsup)

1.8 V
端子位置

BOTTOM
终端形式

BALL
端子间距

0.8 mm
Reach合规守则

compliant
JESD-30代码

R-PBGA-B84
资历状况

不合格
电源

1.8 V
电源电流-最大值

0.14 mA
组织结构

64MX16
输出特性

3-STATE
内存宽度

16
待机电流-最大值

0.01 A
记忆密度

1073741824 bit
I/O类型

COMMON
内存IC类型

DDR DRAM
刷新周期

8192
顺序突发长度

4,8
交错突发长度

4,8

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