Integrated Silicon Solution Inc IS75V16F64GS32-7070DI
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IS75V16F64GS32-7070DI
2261-IS75V16F64GS32-7070DI
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Description: Memory Circuit, Flash SRAM, 4MX16, CMOS, PBGA65, 9 X 9 MM, 0.80 MM PITCH, FBGA-65
1最小包装量--
IS75V16F64GS32-7070DI详情
Integrated Silicon Solution Inc IS75V16F64GS32-7070DI重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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表面安装
YES
终端数量
65
Rohs Code
无
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
INTEGRATED SILICON SOLUTION INC
Part Package Code
BGA
Package Description
9 X 9 MM, 0.80 MM PITCH, FBGA-65
Access Time-Max
70 ns
Number of Words
4194304 words
Number of Words Code
4000000
Operating Temperature-Max
85 °C
Operating Temperature-Min
-30 °C
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Code
LFBGA
Package Equivalence Code
BGA65,10X10,32
Package Shape
SQUARE
Package Style
GRID ARRAY, LOW PROFILE, FINE PITCH
Supply Voltage-Nom (Vsup)
2.9 V
JESD-609代码
e0
无铅代码
无
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
锡铅
附加功能
ALSO CONTAINS 32MBIT PSEUDO SRAM
HTS代码
8542.32.00.71
端子位置
BOTTOM
终端形式
BALL
功能数量
1
端子间距
0.8 mm
Reach合规守则
compliant
引脚数量
65
JESD-30代码
S-PBGA-B65
资历状况
不合格
电源电压-最大值(Vsup)
3.1 V
温度等级
OTHER
电源电压-最小值(Vsup)
2.7 V
操作模式
ASYNCHRONOUS
电源电流-最大值
0.053 mA
组织结构
4MX16
座位高度-最大
1.34 mm
内存宽度
16
待机电流-最大值
0.005 A
记忆密度
67108864 bit
内存IC类型
存储器电路
混合内存类型
FLASH+SRAM
长度
9 mm
宽度
9 mm
IS75V16F64GS32-7070DI拓展信息
Silicon Storage Technology
Silicon Storage Technology
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