Silicon Storage Technology SST30VR021-500-C-WH
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SST30VR021-500-C-WH
2261-SST30VR021-500-C-WH
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Memory Circuit, ROM SRAM, 256KX8, CMOS, PDSO32, 8 X 14 MM, TSOP1-32
1最小包装量--
SST30VR021-500-C-WH详情
Silicon Storage Technology SST30VR021-500-C-WH重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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表面安装
YES
终端数量
32
Rohs Code
无
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
SILICON STORAGE TECHNOLOGY INC
Part Package Code
TSOP1
Package Description
TSOP1, TSSOP32,.56,20
Number of Words
262144 words
Number of Words Code
256000
Operating Temperature-Max
70 °C
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Code
TSOP1
Package Equivalence Code
TSSOP32,.56,20
Package Shape
RECTANGULAR
Package Style
SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
Supply Voltage-Nom (Vsup)
3 V
JESD-609代码
e0
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
锡铅
附加功能
ALSO CONTAINS 128K X 8 SRAM
HTS代码
8542.32.00.71
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
功能数量
1
端子间距
0.5 mm
Reach合规守则
unknown
引脚数量
32
JESD-30代码
R-PDSO-G32
资历状况
不合格
电源电压-最大值(Vsup)
3.3 V
温度等级
COMMERCIAL
电源电压-最小值(Vsup)
2.7 V
操作模式
ASYNCHRONOUS
电源电流-最大值
0.0065 mA
组织结构
256KX8
座位高度-最大
1.2 mm
内存宽度
8
待机电流-最大值
0.00001 A
记忆密度
2097152 bit
内存IC类型
存储器电路
混合内存类型
ROM+SRAM
长度
12.4 mm
宽度
8 mm
SST30VR021-500-C-WH拓展信息
Silicon Storage Technology
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