Integrated Silicon Solution, Inc. (ISSI) IS43DR32800A-37CBLI
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IS43DR32800A-37CBLI
1266-IS43DR32800A-37CBLI
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DRAM 256M (8Mx32) 266MHz Industrial Temp
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IS43DR32800A-37CBLI详情
Integrated Silicon Solution, Inc. (ISSI) IS43DR32800A-37CBLI重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
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表面安装
YES
终端数量
126
Manufacturer Part Number
IS43DR32800A-37CBLI
Rohs Code
有
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
INTEGRATED SILICON SOLUTION INC
Part Package Code
BGA
Package Description
LFBGA, BGA126,12X16,32
Risk Rank
5.27
Access Time-Max
0.5 ns
Clock Frequency-Max (fCLK)
267 MHz
Moisture Sensitivity Levels
3
Number of Words
8388608 words
Number of Words Code
8000000
Operating Temperature-Max
85 °C
Operating Temperature-Min
-40 °C
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Code
LFBGA
Package Equivalence Code
BGA126,12X16,32
Package Shape
RECTANGULAR
Package Style
GRID ARRAY, LOW PROFILE, FINE PITCH
Supply Voltage-Nom (Vsup)
1.8 V
Reflow Temperature-Max (s)
10
JESD-609代码
e1
无铅代码
有
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
附加功能
CAS BEFORE RAS/SELF REFRESH
HTS代码
8542.32.00.24
端子位置
BOTTOM
终端形式
BALL
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
功能数量
1
端子间距
0.8 mm
Reach合规守则
compliant
引脚数量
126
JESD-30代码
R-PBGA-B126
资历状况
不合格
电源电压-最大值(Vsup)
1.9 V
电源
1.8 V
温度等级
INDUSTRIAL
电源电压-最小值(Vsup)
1.7 V
端口的数量
1
操作模式
SYNCHRONOUS
电源电流-最大值
0.45 mA
组织结构
8MX32
输出特性
3-STATE
座位高度-最大
1.4 mm
内存宽度
32
待机电流-最大值
0.008 A
记忆密度
268435456 bit
I/O类型
COMMON
内存IC类型
DDR DRAM
刷新周期
4096
顺序突发长度
4,8
交错突发长度
4,8
访问模式
四库页面突发
自我刷新
YES
长度
14 mm
宽度
11 mm
IS43DR32800A-37CBLI拓展信息
Integrated Silicon Solution, Inc. (ISSI)
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